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NAND02GR3B2DZA6E

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
数据表: NAND02GR3B2DZA6E
描述: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 FLASH - NAND
访问时间 45ns
内存大小 2Gb (256M x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Discontinued at Digi-Key
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 63-TFBGA
基础零件号 NAND02G
内存接口 Parallel
电压-供应 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 63-VFBGA (9.5x12)
写周期时间-字,页 45ns

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