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NAND01GW3B2BZA6E
| 制造商: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Memory |
| 数据表: | NAND01GW3B2BZA6E |
| 描述: | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 产品类别 | Memory |
| 系列 | - |
| 包装 | Tray |
| 技术 | FLASH - NAND |
| 访问时间 | 30ns |
| 内存大小 | 1Gb (128M x 8) |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 部分状态 | Obsolete |
| 内存格式 | FLASH |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 63-TFBGA |
| 基础零件号 | NAND01G-A |
| 内存接口 | Parallel |
| 电压-供应 | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 供应商设备包 | 63-VFBGA (9x11) |
| 写周期时间-字，页 | 30ns |
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| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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