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PHE13009/DG,127

制造商:	WeEn Semiconductors
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
数据表:	PHE13009/DG,127
描述:	TRANS NPN 400V 12A TO220AB
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	WeEn Semiconductors
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列	-
包装	Tube
部分状态	Active
权力——马克思	80W
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-220-3
晶体管类型	NPN
工作温度	150°C (TJ)
频率-过渡	-
供应商设备包	TO-220AB
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	2V @ 1.6A, 8A
电流-集电极(Ic) (Max)	12A
电流-集电极截止(最大)	100µA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 5A, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	400V