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SI2314EDS-T1-GE3
| 制造商: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 数据表: | SI2314EDS-T1-GE3 |
| 描述: | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | TrenchFET® |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vg (Max) | ±12V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 33mOhm @ 5A, 4.5V |
| 功耗(Max) | 750mW (Ta) |
| 供应商设备包 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 3.77A (Ta) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 1.8V, 4.5V |
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