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TPH3206LDB
| 制造商: | Transphorm |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 数据表: | TPH3206LDB |
| 描述: | GANFET N-CH 650V 16A PQFN |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vg (Max) | ±18V |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Obsolete |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 4-PowerDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| 功耗(Max) | 81W (Tc) |
| 供应商设备包 | PQFN (8x8) |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 10V |
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