图片仅供参考，见产品说明

TP65H035WS

制造商:	Transphorm
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表:	TP65H035WS
描述:	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Transphorm
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 1mA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
功耗(Max)	156W (Tc)
供应商设备包	TO-247-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	36nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	46.5A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	12V