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SSM6J512NU,LF

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表:	SSM6J512NU,LF
描述:	MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSVII
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±10V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	16.2mOhm @ 4A, 8V
功耗(Max)	1.25W (Ta)
供应商设备包	6-UDFNB (2x2)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	19.5nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 6V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	10A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.8V, 8V