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HN4B01JE(TE85L,F)

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
数据表:	HN4B01JE(TE85L,F)
描述:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	100mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-553
晶体管类型	NPN, PNP (Emitter Coupled)
工作温度	150°C (TJ)
频率-过渡	80MHz
供应商设备包	ESV
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
电流-集电极(Ic) (Max)	150mA
电流-集电极截止(最大)	100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 10MA, 100MA
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V