图片仅供参考,见产品说明

TH58NYG3S0HBAI4

制造商: Toshiba Memory America, Inc.
产品类别: Memory
数据表: TH58NYG3S0HBAI4
描述: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
产品类别 Memory
系列 -
技术 FLASH - NAND (SLC)
访问时间 25ns
内存大小 8Gb (1G x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Active
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 63-VFBGA
内存接口 Parallel
电压-供应 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 63-TFBGA (9x11)
写周期时间-字,页 25ns

今日有货 210 pcs

具有一定的价格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.60 $8.43 $8.26

请求报价

请填写以下表格,我们会尽快与您联系

猜你喜欢

IS34ML04G084-TLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$9.98
AS4C256M16D3LB-10BIN
Alliance Memory, Inc.
$9.98
AS4C512M8D3LB-12BAN
Alliance Memory, Inc.
$13.4
AS4C512M16D3LA-10BCN
Alliance Memory, Inc.
$24.3
FT24C16A-USR-T
Fremont Micro Devices Ltd
$0.16
AT25040B-MAHL-T
Microchip Technology
$0.1