| 制造商: | Texas Instruments | 
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | 
| 数据表: | CSD86336Q3D | 
| 描述: | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | 
| RoHS状态: | 通过无铅认证 | 
| 属性 | 属性值 | 
|---|---|
| 制造商 | Texas Instruments | 
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | 
| 系列 | NexFET™ | 
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) | 
| 包装 | Digi-Reel® | 
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate, 5V Drive | 
| 部分状态 | Active | 
| 权力——马克思 | 6W | 
| 安装方式 | Surface Mount | 
| 包/箱 | 8-PowerTDFN | 
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA | 
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C | 
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V | 
| 供应商设备包 | 8-VSON (3.3x3.3) | 
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V | 
| 漏源极电压(Vdss) | 25V | 
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V | 
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 20A (Ta) | 
| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |