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CSD86311W1723
| 制造商: | Texas Instruments |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 数据表: | CSD86311W1723 |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Texas Instruments |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | NexFET™ |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Cut Tape (CT) |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1.5W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 12-UFBGA, DSBGA |
| 基础零件号 | CSD86311 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 39mOhm @ 2A, 8V |
| 供应商设备包 | 12-DSBGA |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 12.5V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 4.5A |
今日有货 1186 pcs
| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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