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CSD25213W10

制造商:	Texas Instruments
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表:	CSD25213W10
描述:	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Texas Instruments
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	NexFET™
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	-6V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	4-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	47mOhm @ 1A, 4.5V
功耗(Max)	1W (Ta)
供应商设备包	4-DSBGA (1x1)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	2.9nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	478pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	2.5V, 4.5V