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STB26NM60ND

制造商:	STMicroelectronics
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表:	STB26NM60ND
描述:	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	STMicroelectronics
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	FDmesh™ II
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±25V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
基础零件号	STB26N
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	175mOhm @ 10.5A, 10V
功耗(Max)	190W (Tc)
供应商设备包	D2PAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	54.6nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1817pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	21A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V