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STB11NM60T4
| 制造商: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 数据表: | STB11NM60T4 |
| 描述: | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | MDmesh™ |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vg (Max) | ±30V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Not For New Designs |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 基础零件号 | STB11N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| 功耗(Max) | 160W (Tc) |
| 供应商设备包 | D2PAK |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 30nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 10V |
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