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RJH65T04BDPMA0#T2F

制造商:	Renesas Electronics America
产品类别:	Transistors - IGBTs - Single
数据表:	RJH65T04BDPMA0#T2F
描述:	IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Renesas Electronics America
产品类别	Transistors - IGBTs - Single
系列	-
IGBT类型	Trench
包装	Tube
输入类型	Standard
门负责	74nC
部分状态	Active
权力——马克思	65W
安装方式	Through Hole
包/箱	SC-94
测试条件	400V, 30A, 10Ohm, 15V
交换能量	360µJ (on), 350µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C	35ns/115ns
工作温度	175°C (TJ)
供应商设备包	TO-3PFP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 30A
反向恢复时间(trr)	80ns
电流-集电极(Ic) (Max)	60A
电压-集电极-发射极击穿(最大)	650V