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HD1A3M(0)-T1-AZ
| 制造商: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 数据表: | HD1A3M(0)-T1-AZ |
| 描述: | TRANSISTOR NPN SC62-3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 系列 | HD1 |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 2W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 电阻-基极(R1) | 1kOhms |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | SC-62 |
| 电阻-发射极基(R2) | 1kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | - |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 60V |
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