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2SD2607FU6

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
数据表: 2SD2607FU6
描述: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列 -
包装 Bulk
部分状态 Obsolete
权力——马克思 2W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3 Full Pack
晶体管类型 NPN - Darlington
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 40MHz
供应商设备包 TO-220FN
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 1.5V @ 6mA, 3A
电流-集电极(Ic) (Max) 8A
电流-集电极截止(最大) 10µA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 100V

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