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NTLJD3182FZTBG

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表: NTLJD3182FZTBG
描述: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±8V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 Schottky Diode (Isolated)
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
功耗(Max) 710mW (Ta)
供应商设备包 6-WDFN (2x2)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 7.8nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.8V, 4.5V

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