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NSVMMUN2133LT1G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 数据表: | NSVMMUN2133LT1G |
| 描述: | TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 系列 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 246mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 电阻-基极(R1) | 4.7 kOhms |
| 供应商设备包 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 电阻-发射极基(R2) | 47 kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 500nA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
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| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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