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NSM21156DW6T1G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 数据表: | NSM21156DW6T1G |
| 描述: | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 230mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| 电阻-基极(R1) | 10kOhms |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 电阻-发射极基(R2) | 10kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 500nA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V, 65V |
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