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NGTD13T65F2WP
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 数据表: | NGTD13T65F2WP |
| 描述: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 包装 | Bulk |
| 输入类型 | Standard |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | Die |
| 测试条件 | - |
| 交换能量 | - |
| Td(开/关)@ 25°C | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 供应商设备包 | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 650V |
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| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.10 | $1.08 | $1.06 |
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