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FDMS86202ET120

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表: FDMS86202ET120
描述: MOSFET N-CH 120V POWER56
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 PowerTrench®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
功耗(Max) 3.3W (Ta), 187W (Tc)
供应商设备包 Power56
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 64nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 120V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 4585pF @ 60V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 102A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 6V, 10V

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