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PBLS2001S,115

制造商: NXP USA Inc.
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
数据表: PBLS2001S,115
描述: TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 NXP USA Inc.
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Obsolete
权力——马克思 1.5W
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
晶体管类型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
基础零件号 PBLS2001
电阻-基极(R1) 2.2kOhms
频率-过渡 100MHz
供应商设备包 8-SO
电阻-发射极基(R2) 2.2kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA, 3A
电流-集电极截止(最大) 1µA, 100nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V, 20V

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