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MRF581G
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 数据表: | MRF581G |
| 描述: | RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 获得 | 13dB ~ 15.5dB |
| 系列 | - |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 1.25W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | Micro-X ceramic (84C) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 基础零件号 | MRF581 |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 5GHz |
| 供应商设备包 | Micro-X ceramic (84C) |
| 噪音指数(dB Typ @ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 200mA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 18V |
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