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JAN2N6251T1
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 数据表: | JAN2N6251T1 |
| 描述: | TRANS NPN 350V 10A TO-3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | Military, MIL-PRF-19500/510 |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 6W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | TO-254AA |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 1.5V @ 1.67A, 10A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大) | 1mA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 10A, 3V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 350V |
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