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APTGT75DH120T3G
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 数据表: | APTGT75DH120T3G |
| 描述: | MOD IGBT 1200V 110A SP3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 357W |
| 配置 | Asymmetrical Bridge |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | Yes |
| 包/箱 | SP3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | SP3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 110A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 250µA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
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|---|---|---|---|
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