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APT75GP120B2G
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 数据表: | APT75GP120B2G |
| 描述: | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| IGBT类型 | PT |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 320nC |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1042W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-247-3 Variant |
| 测试条件 | 600V, 75A, 5Ohm, 15V |
| 交换能量 | 1620µJ (on), 2500µJ (off) |
| Td(开/关)@ 25°C | 20ns/163ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
今日有货 3195 pcs
| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $26.46 | $25.93 | $25.41 |
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