图片仅供参考，见产品说明
APT45GP120JDQ2
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 数据表: | APT45GP120JDQ2 |
| 描述: | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| IGBT类型 | PT |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 329W |
| 配置 | Single |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | ISOTOP |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | ISOTOP® |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 75A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 750µA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
今日有货 0 pcs
| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $39.57 | $38.78 | $38.00 |
请求报价
请填写以下表格，我们会尽快与您联系
猜你喜欢
