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APT35GP120JDQ2
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 数据表: | APT35GP120JDQ2 |
| 描述: | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| IGBT类型 | PT |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 284W |
| 配置 | Single |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | ISOTOP |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | ISOTOP® |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 64A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 350µA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
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