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APT33GF120LRDQ2G
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 数据表: | APT33GF120LRDQ2G |
| 描述: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | NPT |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 170nC |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 357W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-264-3, TO-264AA |
| 测试条件 | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| 交换能量 | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Td(开/关)@ 25°C | 14ns/185ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-264 [L] |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 64A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 75A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
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