图片仅供参考，见产品说明
APT25GP120BDQ1G
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 数据表: | APT25GP120BDQ1G |
| 描述: | IGBT 1200V 69A 417W TO247 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| IGBT类型 | PT |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 110nC |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 417W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-247-3 |
| 测试条件 | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
| 交换能量 | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| Td(开/关)@ 25°C | 12ns/70ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-247 [B] |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 69A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
今日有货 0 pcs
| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $13.07 | $12.81 | $12.55 |
请求报价
请填写以下表格，我们会尽快与您联系
猜你喜欢
