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2N2907AE4
| 制造商: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 数据表: | 2N2907AE4 |
| 描述: | DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 500mW |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 晶体管类型 | PNP |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | TO-18 |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 10µA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 60V |
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| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.47 | $4.38 | $4.29 |
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