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NAND256R3A2BZA6E

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
数据表: NAND256R3A2BZA6E
描述: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 FLASH - NAND
访问时间 50ns
内存大小 256Mb (32M x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Obsolete
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 55-TFBGA
基础零件号 NAND256-A
内存接口 Parallel
电压-供应 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 55-VFBGA (8x10)
写周期时间-字,页 50ns

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