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MT47H512M4THN-25E:H
| 制造商: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Memory |
| 数据表: | MT47H512M4THN-25E:H |
| 描述: | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 产品类别 | Memory |
| 系列 | - |
| 包装 | Tray |
| 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 访问时间 | 400ps |
| 内存大小 | 2Gb (512M x 4) |
| 内存类型 | Volatile |
| 部分状态 | Obsolete |
| 内存格式 | DRAM |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 63-TFBGA |
| 时钟频率 | 400MHz |
| 基础零件号 | MT47H512M4 |
| 内存接口 | Parallel |
| 电压-供应 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 供应商设备包 | 63-FBGA (8x10) |
| 写周期时间-字，页 | 15ns |
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| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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