图片仅供参考,见产品说明

MT41K512M8RH-107:E TR

制造商: Micron Technology Inc.
产品类别: Memory
数据表: MT41K512M8RH-107:E TR
描述: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Micron Technology Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
技术 SDRAM - DDR3L
访问时间 20ns
内存大小 4Gb (512M x 8)
内存类型 Volatile
部分状态 Obsolete
内存格式 DRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 78-TFBGA
时钟频率 933MHz
基础零件号 MT41K512M8
内存接口 Parallel
电压-供应 1.283V ~ 1.45V
工作温度 0°C ~ 95°C (TC)
供应商设备包 78-FBGA (9x10.5)
写周期时间-字,页 -

今日有货 0 pcs

具有一定的价格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

请求报价

请填写以下表格,我们会尽快与您联系

猜你喜欢

MT41K512M16TNA-125:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K512M16TNA-125 M:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K512M16TNA-125 IT:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K2G4TRF-125:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K2G4TRF-107:E TR
Micron Technology Inc.
$0
MT41K256M4JP-15E:G TR
Micron Technology Inc.
$0