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SPP06N60C3HKSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表: SPP06N60C3HKSA1
描述: MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 260µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 750mOhm @ 3.9A, 10V
功耗(Max) 74W (Tc)
供应商设备包 PG-TO220-3-1
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 31nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

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