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IGB30N60H3ATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
数据表: IGB30N60H3ATMA1
描述: IGBT 600V 60A 187W TO263-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 TrenchStop®
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 165nC
部分状态 Active
权力——马克思 187W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
基础零件号 GB30N60
交换能量 1.17mJ
Td(开/关)@ 25°C 18ns/207ns
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 PG-TO263-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
电流-集电极(Ic) (Max) 60A
集电极脉冲电流(Icm) 120A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

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