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FP100R07N3E4B11BOSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
数据表: FP100R07N3E4B11BOSA1
描述: IGBT MODULE VCES 600V 100A
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Active
权力——马克思 335W
配置 Three Phase Inverter
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 100A
电流-集电极(Ic) (Max) 100A
输入电容(Cies) @ Vce 6.2nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

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