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FF150R12RT4HOSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
数据表: FF150R12RT4HOSA1
描述: IGBT MODULE 1200V 150A
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 C
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Active
权力——马克思 790W
配置 Half Bridge
安装方式 Surface Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
电流-集电极(Ic) (Max) 150A
电流-集电极截止(最大) 1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

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