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DDB2U30N08VRBOMA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 数据表: | DDB2U30N08VRBOMA1 |
| 描述: | IGBT MODULE 800V 50A |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | - |
| 部分状态 | Not For New Designs |
| 权力——马克思 | 83.5W |
| 配置 | 3 Independent |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | Yes |
| 包/箱 | Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 供应商设备包 | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 20A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 25A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 880pF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 1mA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
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|---|---|---|---|
| $14.96 | $14.66 | $14.37 |
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