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DD1200S12H4HOSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
数据表: DD1200S12H4HOSA1
描述: MOD DIODE 1200A IHMB130-2
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 -
部分状态 Active
权力——马克思 1200000W
配置 2 Independent
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A
电流-集电极(Ic) (Max) 1200A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

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