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DD1200S12H4HOSA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 数据表: | DD1200S12H4HOSA1 |
| 描述: | MOD DIODE 1200A IHMB130-2 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | - |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1200000W |
| 配置 | 2 Independent |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 供应商设备包 | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 1200A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 1200A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
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| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $616.97 | $604.63 | $592.54 |
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