图片仅供参考，见产品说明

BSB104N08NP3GXUSA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表:	BSB104N08NP3GXUSA1
描述:	MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V
功耗(Max)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
供应商设备包	MG-WDSON-2, CanPAK M™
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	31nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	13A (Ta), 50A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V