制造商: | Global Power Technologies Group |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
数据表: | GSID150A120S6A4 |
描述: | SILICON IGBT MODULES |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Global Power Technologies Group |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
输入 | Standard |
系列 | Amp+™ |
IGBT类型 | - |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 1035W |
配置 | Single |
安装方式 | Chassis Mount |
NTC热敏电阻 | Yes |
包/箱 | Module |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |
供应商设备包 | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 150A |
电流-集电极(Ic) (Max) | 275A |
输入电容(Cies) @ Vce | 20.2nF @ 25V |
电流-集电极截止(最大) | 1mA |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$108.51 | $106.34 | $104.21 |