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GSID150A120S6A4

制造商: Global Power Technologies Group
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
数据表: GSID150A120S6A4
描述: SILICON IGBT MODULES
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Global Power Technologies Group
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 Amp+™
IGBT类型 -
部分状态 Active
权力——马克思 1035W
配置 Single
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
电流-集电极(Ic) (Max) 275A
输入电容(Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

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