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GD25S512MDBIGY

制造商: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
产品类别: Memory
数据表: GD25S512MDBIGY
描述: NOR FLASH
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 FLASH - NOR
内存大小 512Mb (64M x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Active
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 24-TBGA
时钟频率 104MHz
内存接口 SPI - Quad I/O
电压-供应 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 24-TFBGA (6x8)
写周期时间-字,页 50µs, 2.4ms

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