| 制造商 |
EPC |
| 产品类别 |
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 |
eGaN® |
| 场效应晶体管类型 |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| 包装 |
Digi-Reel® |
| 场效应晶体管的特性 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| 部分状态 |
Discontinued at Digi-Key |
| 权力——马克思 |
- |
| 安装方式 |
Surface Mount |
| 包/箱 |
9-VFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 工作温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs |
320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| 供应商设备包 |
9-BGA (1.35x1.35) |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 漏源极电压(Vdss) |
100V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C |
1.7A, 500mA |
