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EPC2102ENG
| 制造商: | EPC |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 数据表: | EPC2102ENG |
| 描述: | GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | eGaN® |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 包装 | Tray |
| 场效应晶体管的特性 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 部分状态 | Discontinued at Digi-Key |
| 权力——马克思 | - |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| 供应商设备包 | Die |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 23A |
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