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DMG3N60SJ3

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
数据表:	DMG3N60SJ3
描述:	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.5Ohm @ 1.5A, 10V
功耗(Max)	41W (Tc)
供应商设备包	TO-251
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	12.6nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	354pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V