图片仅供参考，见产品说明
FF200R12KE4HOSA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 数据表: | FF200R12KE4HOSA1 |
| 描述: | IGBT MODULE 1200V 200A |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | C |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1100W |
| 配置 | Half Bridge |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 240A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 5mA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
今日有货 24 pcs
| 具有一定的价格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $100.81 | $98.79 | $96.82 |
请求报价
请填写以下表格，我们会尽快与您联系
猜你喜欢
